ALD (原子層沉積)技術

ALD(原子層沉積)技術在20世紀末已開發(fā)應用在半導體加工制造，ALD技術有低溫沉積、高薄膜純度以及絕佳覆蓋率等優(yōu)點。近年來ALD在半導體工藝領域也已發(fā)展出愈來愈廣泛的應用。
原子層沉積技術具有膜層厚度一致、逐層沉積、結合強度好、成分均勻性好等優(yōu)點,是先進的納米表面處理技術,具有廣闊的應用前景。
作為一項涉及多學科領域的新技術,有許多因素會影響沉積膜層的質量和生產效率,如前驅體材料、形核長大機制、薄膜結構、沉積速率、設備條件等等,其中,前驅體是原子層沉積工藝的基礎。 
從ALD技術的基本原理可知,原子層沉積是通過將氣相前驅體脈沖交替地通入反應器,在沉積基體上化學吸附并發(fā)生反應,形成沉積膜的一種方法。前驅體材料是原子層沉積工藝的基礎,艾佩科(上海)氣體有限公司，提供ALD技術(原子層淀積)所需之前驅體材料(Precursor material)，詳見產品介紹。


原子層沉積裝置（ALD）過程周期
舉例：TMA及O2等離子，使用三甲基鋁的ALD過程周期。.
圖片是熱動過程用的H 2 O或O 2等離子之間變化。